Мережевий зарядний пристрій Ridea RW-GaN30BPAC Boost Pro — це сучасний зарядний адаптер, побудований на основі технології нітриду галію (GaN). Він забезпечує високу ефективність передачі енергії, компактні розміри та надійну роботу без перегріву. Підтримка протоколів швидкої зарядки PD, QC та PPS робить його універсальним рішенням для заряджання смартфонів, планшетів, ноутбуків, навушників та інших портативних пристроїв.

Технологія GaN

Використання GaN-компонентів дозволяє досягти високої вихідної потужності у значно менших габаритах порівняно з традиційними кремнієвими аналогами. Це забезпечує нижчий рівень нагрівання, вищу стабільність роботи та довговічність пристрою.

Порти та потужність

Зарядний пристрій оснащений двома вихідними портами: USB-C та USB-A. Загальна максимальна потужність при одночасному використанні обох портів становить 15 Вт (5 В/3 А). При підключенні одного пристрою через USB-C доступна повна потужність:

• USB-C (PD/PPS): до 30 Вт (5 В/3 А, 9 В/3 А, 12 В/2.5 А; PPS: 5–11 В / 3 А)

• USB-A (QC): до 18 Вт (5 В/3 А, 9 В/2 А, 12 В/1.5 А)

Швидка зарядка та протоколи

Підтримуються сучасні протоколи швидкої зарядки:

• Power Delivery (PD) — для універсальної швидкої зарядки через USB-C.

• Quick Charge (QC) — для сумісних пристроїв через порт USB-A.

• PPS (Programmable Power Supply) — адаптивне регулювання напруги для оптимальної ефективності заряджання.

Живлення та сумісність

Широкий діапазон вхідної напруги 110–240 В (змінний струм, 50/60 Гц, макс. 0.5 А) забезпечує сумісність з електромережами більшості країн світу. Вилка європейського стандарту (тип C/E/F) із нікельованим покриттям.

Конструкція та дизайн

Стриманий преміальний дизайн з плавно округленими гранями та кутами. Корпус виготовлено з міцного, ударостійкого пластику, стійкого до високих температур.

Безпека

Багаторівнева система захисту запобігає перегріву, перевантаженню, стрибкам напруги та короткому замиканню, забезпечуючи безпечне використання.

Характеристики:

• Бренд: Ridea

• Модель: RW-GaN30BPAC Boost Pro

• Тип: мережевий зарядний пристрій (GaN)

• Технологія: GaN (нітрид галію)

• Вхідна напруга: 110–240 В (AC), 50/60 Гц, 0.5 А макс.

• Вихідні порти: 1 × USB-C, 1 × USB-A

• Вихідна потужність (USB-C): до 30 Вт (PD/PPS)

• Вихідна потужність (USB-A): до 18 Вт (QC)

• Загальна вихідна потужність (обидва порти): до 15 Вт

• Протоколи: PD, QC, PPS

• Вилка: європейський стандарт (EU, тип C), нікельоване покриття

• Захист: перегрів, перевантаження, стрибки напруги, коротке замикання

Комплектація:

• Мережевий зарядний пристрій Ridea RW-GaN30BPAC Boost Pro × 1

• Інструкція × 1